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深圳市贝优特科技有限公司
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推出的新款高能效和高精度智能功率模块可支持新一代微处理器
发布时间: 2021/3/24 8:44:40 | 232 次阅读
日前发布的功率模块含有功率MOSFET和先进的驱动IC。为提高能效,器件内部MOSFET采用先进的TrenchFET® Gen IV技术,这一技术确立行业性能基准,显著降低开关和传导损耗。SiC8xx智能功率模块各种应用条件下峰值能效可达93 %以上。轻载时可启用二极管仿真模式,提高全负载范围的效率。
采用DCR监控功耗的解决方案,电流精度为7 %,而SiC8xx 系列器件采用低边MOSFET进行检测,精度误差小于3 %。从而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc. 和 Nvidia Corporation等公司大电流处理器和片上系统(SoC)性能,改进热管理。器件适用于同步降压转换器、CUP和GPU的多相VRD、存储器以及DC/DC VR模块。
SiC8xx功率模块输入电压为4.5 V至21 V(如表中所示),开关频率高达2 MHz。故障保护功能包括高边MOSFET短路和过流报警、过热保护和欠压锁定(UVLO)。 SiC8xx系列支持3.3 V和5 V 三态PWM逻辑电平,兼容各种PWM控制器。