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深圳市贝优特科技有限公司
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功率电感:EPC推出比等效MOSFET小型化12倍的200V氮化镓功率晶体管
发布时间: 2017/6/8 8:46:30 | 320 次阅读
EPC2046采用芯片级封装,比使用塑胶封装的MOSFET更有效地散热,这是由于使用芯片级封装的器件可以直接散热至周遭环境,而MOSFET芯片的热量则聚集在塑胶封装内。设计师现在可以同时实现更小型化和性能更高的器件!
EPC公司执行官兼共同创办人Alex Lidow称:「EPC2046 eGaN®产品采用的第五代工艺,展示出EPC及其氮化镓晶体管技术如何提升产品的性能之同时能够降低器件的价格,这些优势推动全新应用的发展,是日益老化的硅MOSFET所不可以实现得到的,并且吸引目前采用MOSFET的设计师转用eGaN产品。这些全新晶体管也印证了氮化镓与MOSFET技术在性能及成本方面的绩效差距正在逐渐扩大。」
开发板
EPC9079开发板的器件电压为200 V、半桥、带板载栅极驱动器、内含EPC2046晶体管、板载栅极驱动电源及旁路电容。该板为2英寸乘1.5英寸,其布局可实现开关性能,并且包含所有重要元件,从而可以帮助工程师易于对EPC2046 eGaN FET的性能进行评估。