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功率电感:使用Microchip基于COTS器件的耐辐射解决方案
发布时间: 2017/12/26 8:44:09 | 310 次阅读
ATmegaS64M1是Microchip的第二款8位megaAVR® MCU,采用了一种名为“COTS耐辐射”的开发方法。这种方法利用了一种成熟的汽车级器件——ATmega64M1,开发了对应的高可靠性塑料和空间级陶瓷封装的引脚兼容版本。这些器件的设计满足耐辐射要求,并具有以下目标性能:
· 完全可承受高达62 MeV.cm²/mg的单粒子事件闭锁(SEL)
· 安全存储完整性,不会出现单粒子事件功能中断(SEFI)
· 累计总电离剂量(TID)在20至50 Krad(Si)之间
· 所有功能模块均具有单粒子事件翻转(SEU)特性
新器件加入了ATmegaS128,这是一款耐辐射MCU,已经被设计用于几项关键的太空任务,包括火星探测和数百颗地球低轨(LEO)卫星巨型星座。
ATmega64M1 COTS器件连同其完整的开发工具链(包括开发工具包和代码配置器)可用于开始硬件、固件和软件的开发。当终系统准备原型阶段试生产或者批量投产时,可以采用引脚兼容、耐辐射的32引脚陶瓷封装(QFP32)的器件代替COTS器件,其功能与原始器件相同。这极大地降低了成本,同时也缩短了开发时间,减小了风险。
Microchip航空航天业务部总监Patrick Sauvage表示:“我们的COTS耐辐射方法给我们带来了毫不逊色的空间级器件,为航空航天业提供经过强化筛选的增强型器件。而且,采用COTS器件进行开发,然后将其替换成引脚兼容、功能齐全的高可靠性塑料或者陶瓷封装器件,这为我们的客户缩短了开发时间,减少了成本和风险。”
ATmegaS64M1满足-55° C至+125° C的高工作温度范围要求。它是款结合了控制器局域网(CAN)总线、数模转换器(DAC)和电机控制功能的COTS耐辐射MCU。这些特性使其非常适合用于卫星、星座、发射装置或者关键航空电子应用的多种子系统,例如远程终端控制器和数据处理功能等。如需了解详细信息,请访问www.microchip.com/ATmegaS64M1。