开关损耗与 MOSFET 开关的速度以及 MOSFET 具有多少输入和输出电容有关。这些都与功率电感器件尺寸的大小相关。大体积器件具有较慢的开关速度以及更多的电容。图 2 显示了两种不同工作频率 （F） 的关系。传导损耗 （Pcon）与工作频率无关，而开关损耗 （Psw F1 和 Psw F2） 与工作频率成正比例关系。因此更高的工作频率 （Psw F2） 会产生更高的开关损耗。当开关损耗和传导损耗相等时，每种工作频率的总损耗。另外，随着工作频率提高，总损耗将更高。

但是，在更高的工作频率下，裸片面积较小，从而带来成本节约。实际上，在低频率下，通过调整裸片面积来化损耗会带来极高成本的设计。但是，转到更高工作频率后，我们就可以优化裸片面积来降低损耗，从而缩小电源的半导体体积。这样做的缺点是，如果我们不改进半导体技术，那么电源效率将会降低。此主题相关图片如下：图2 ：提高工作频率会导致更高的总体损耗。

 

图2 ：提高工作频率会导致更高的总体损耗。

如前所述，更高的工作频率可缩小电感体积;所需的内层芯板会减少。更高频率还可降低对于输出电容的要求。有了陶瓷电容，我们就可以使用更低的电容值或更少的电容。这有助于缩小半导体裸片面积，进而降低成本。